В учебном пособии изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП- и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных узлов). Подробно изложены вопросы проектирования элементов гибридных микросхем. Много внимания уделено проектированию МОП- и КМОП-интегральных микросхем, так как в настоящее время именно эти ИМС занимают ведущие позиции в производстве микросхем в целом. Особенностью данного учебного пособия является описание методов повышения надежности и радиационной стойкости ИМС, поскольку микросхемы широко используются в экстремальных условиях. Учебное пособие предназначено для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области микроэлектроники, электроники, электронных измерительных систем, а также для специалистов, интересующихся повышением надежности и радиационной стойкости ИМС.
V uchebnom posobii izlozheny fizicheskie aspekty proektirovanija tsifrovykh kremnievykh mikroskhem v tverdotelnom i gibridnom ispolnenii. Rassmotreny voprosy proektirovanija MOP- i bipoljarnykh tranzistorov i diodov, a takzhe passivnykh elementov (rezistorov, kondensatorov, provodnikov i kontaktnykh uzlov). Podrobno izlozheny voprosy proektirovanija elementov gibridnykh mikroskhem. Mnogo vnimanija udeleno proektirovaniju MOP- i KMOP-integralnykh mikroskhem, tak kak v nastojaschee vremja imenno eti IMS zanimajut veduschie pozitsii v proizvodstve mikroskhem v tselom. Osobennostju dannogo uchebnogo posobija javljaetsja opisanie metodov povyshenija nadezhnosti i radiatsionnoj stojkosti IMS, poskolku mikroskhemy shiroko ispolzujutsja v ekstremalnykh uslovijakh. Uchebnoe posobie prednaznacheno dlja prepodavatelej, aspirantov i studentov, spetsializirujuschikhsja v oblasti mikroelektroniki, elektroniki, elektronnykh izmeritelnykh sistem, a takzhe dlja spetsialistov, interesujuschikhsja povysheniem nadezhnosti i radiatsionnoj stojkosti IMS.
