В книге американских специалистов изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе. Большое внимание уделяется математическим моделям элементов ИС, предназначенным для систем автоматизированного проектирования. Рассмотрен ряд специфических для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксидной изоляцией, КМОП-структуры и т. д. Для специалистов по проектированию полупроводниковых ИС, инженеров-технологов полупроводникового производства, а также студентов в аспирантов соответствующих специальностей.
V knige amerikanskikh spetsialistov izlozheny osnovy fiziki i tekhnologii izgotovlenija elementov kremnievykh IS, printsipy ikh dejstvija, voprosy rascheta i konstruirovanija, a takzhe matematicheskie modeli, ispolzuemye dlja proektirovanija kak samikh elementov, tak i tsifrovykh i analogovykh IS na ikh osnove. Bolshoe vnimanie udeljaetsja matematicheskim modeljam elementov IS, prednaznachennym dlja sistem avtomatizirovannogo proektirovanija. Rassmotren rjad spetsificheskikh dlja IS elementov: bipoljarnye tranzistory s oksidnoj izoljatsiej, KMOP-struktury i t. d. Dlja spetsialistov po proektirovaniju poluprovodnikovykh IS, inzhenerov-tekhnologov poluprovodnikovogo proizvodstva, a takzhe studentov v aspirantov sootvetstvujuschikh spetsialnostej.
