В сборник вошли статьи сотрудников Федерального государственного автономного научного учреждения "Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова" Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), опубликованные в период 2010-2017 гг. по новым направлениям исследований наногетероструктур А3В5 (арсенид галлия и нитрид галлия): расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот, создание фотопроводящих антенн для терагерцевых устройств. .Статьи использованы при выполнении работ по заказу Минобрнауки России в рамках: ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы, ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы, ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России" на 2007-2013 годы и на 2014-2020 годы. .
V sbornik voshli stati sotrudnikov Federalnogo gosudarstvennogo avtonomnogo nauchnogo uchrezhdenija "Institut sverkhvysokochastotnoj poluprovodnikovoj elektroniki imeni V.G. Mokerova" Rossijskoj akademii nauk (ISVCHPE RAN), opublikovannye v period 2010-2017 gg. po novym napravlenijam issledovanij nanogeterostruktur A3V5 (arsenid gallija i nitrid gallija): raschet i modelirovanie sistem na kristalle s integrirovannymi antennami i usiliteljami dlja krajne vysokikh chastot, sozdanie fotoprovodjaschikh antenn dlja teragertsevykh ustrojstv. .Stati ispolzovany pri vypolnenii rabot po zakazu Minobrnauki Rossii v ramkakh: FTSP "Razvitie elektronnoj komponentnoj bazy i radioelektroniki" na 2008-2015 gody, FTSP "Nauchnye i nauchno-pedagogicheskie kadry innovatsionnoj Rossii" na 2009-2013 gody, FTSP "Issledovanija i razrabotki po prioritetnym napravlenijam razvitija nauchno-tekhnologicheskogo kompleksa Rossii" na 2007-2013 gody i na 2014-2020 gody. .
