Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких...
Rassmatrivajutsja osnovnye tipy poluprovodnikovykh priborov i fizicheskie protsessy, obespechivajuschie ikh rabotu. Privoditsja analiz elektronnykh protsessov v obeme poluprovodnikov, v elektronno-dyrochnykh perekhodakh i v oblasti prostranstvennogo zarjada na poverkhnosti poluprovodnikov. Podrobno predstavleny kharakteristiki diodov, tranzistorov, tiristorov, lavinno-proletnykh diodov, svetodiodov, poluprovodnikovykh lazerov i fotopriemnikov, kak na osnove kremnija, tak i na perspektivnykh materialakh GaAs, GaN, SiC. Rassmotreny kharakteristiki poluprovodnikovykh priborov pri ekstremalnykh temperaturakh, kvantovyj effekt Kholla, mikrominiatjurizatsija i pribory nanoelektroniki. V tretem izdanii uchebnogo posobija dobavleny razdely po teorii pogloschenija i generatsii opticheskogo izluchenija, dopolnitelno vvedeny razdely o polevykh tranzistorakh s vysokoj podvizhnostju elektronov, reprogrammiruemykh elementakh pamjati i solnechnykh batarejakh, rasshireno opisanie kharakteristik poluprovodnikovykh priborov pri vysokikh...
