В монографии изложены основные принципы построения и анализ работы термоэлектрических полупроводниковых устройств и интенсификаторов теплопередачи, а также изложены основные принципы применения светоизлучающих полупроводниковых p-n-переходов, отводящих энергию в окружающее пространство в виде электромагнитного излучения. Новый тип термоэлектрических полупроводниковых приборов обладает большим быстродействием, энергоэффективностью, мощностью и надежностью за счет уменьшения доли паразитных тепловыделений, снижения величины резистивного сопротивления и рекуперации части электромагнитного излучения. Перспективным направлением является достижение глубокого охлаждения до уровня абсолютного нуля по Кельвину с целью создания сверхпроводящих криотронных микроэлектронных устройств.Для инженеров и научных сотрудников, занимающихся проблемой охлаждения компонентов микроэлектронной аппаратуры, а также для специалистов, занимающихся термоэлектрическим приборостроением. Монография может быть полезной для студентов вузов направлений подготовки бакалавриата и магистратуры "Электроника и наноэлектроника", "Приборостроение" и аспирантов направлений подготовки "Электро- и теплотехника", "Электроника, радиотехника и системы связи", "Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии".
V monografii izlozheny osnovnye printsipy postroenija i analiz raboty termoelektricheskikh poluprovodnikovykh ustrojstv i intensifikatorov teploperedachi, a takzhe izlozheny osnovnye printsipy primenenija svetoizluchajuschikh poluprovodnikovykh p-n-perekhodov, otvodjaschikh energiju v okruzhajuschee prostranstvo v vide elektromagnitnogo izluchenija. Novyj tip termoelektricheskikh poluprovodnikovykh priborov obladaet bolshim bystrodejstviem, energoeffektivnostju, moschnostju i nadezhnostju za schet umenshenija doli parazitnykh teplovydelenij, snizhenija velichiny rezistivnogo soprotivlenija i rekuperatsii chasti elektromagnitnogo izluchenija. Perspektivnym napravleniem javljaetsja dostizhenie glubokogo okhlazhdenija do urovnja absoljutnogo nulja po Kelvinu s tselju sozdanija sverkhprovodjaschikh kriotronnykh mikroelektronnykh ustrojstv.Dlja inzhenerov i nauchnykh sotrudnikov, zanimajuschikhsja problemoj okhlazhdenija komponentov mikroelektronnoj apparatury, a takzhe dlja spetsialistov, zanimajuschikhsja termoelektricheskim priborostroeniem. Monografija mozhet byt poleznoj dlja studentov vuzov napravlenij podgotovki bakalavriata i magistratury "Elektronika i nanoelektronika", "Priborostroenie" i aspirantov napravlenij podgotovki "Elektro- i teplotekhnika", "Elektronika, radiotekhnika i sistemy svjazi", "Fotonika, priborostroenie, opticheskie i biotekhnicheskie sistemy i tekhnologii".
