В книге на основе различных приближений теории регулярных растворов и модели диффузионного массопереноса рассмотрены особенности эпитаксии твердых растворов на основе полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6. Проанализировано влияние упругих деформаций на смещение фазовых равновесий в многокомпонентных системах. Изложены методики расчета равновесных и когерентных диаграмм состояния многокомпонентных систем. Дано математическое описание эффекта стабилизации периода решетки и кинетики кристаллизации многокомпонентных твердых растворов. Рассмотрены критические явления и термодинамическая устойчивость подложки в неравновесной жидкой фазе. Особое внимание уделено процессам получения изопериодических гетероструктур на основе четверных и пятерных твердых растворов, которые широко применяются в различных приборах полупроводниковой оптоэлектроники. Книга адресована студентам вузов, обучающимся по направлениям подготовки и специальностям, входящим в УГСН: "Электроника, радиотехника и системы связи", "Физико-технические науки и технологии", "Химия", "Химические технологии", "Технологии материалов". Также будет полезна для научно-технических работников предприятий электронной промышленности, специалистов в области полупроводникового материаловедения, аспирантов и преподавателей вузов инженерно-физического, химико-технологического и металлургического профилей.
V knige na osnove razlichnykh priblizhenij teorii reguljarnykh rastvorov i modeli diffuzionnogo massoperenosa rassmotreny osobennosti epitaksii tverdykh rastvorov na osnove poluprovodnikovykh soedinenij A3V5 i A2V6. Proanalizirovano vlijanie uprugikh deformatsij na smeschenie fazovykh ravnovesij v mnogokomponentnykh sistemakh. Izlozheny metodiki rascheta ravnovesnykh i kogerentnykh diagramm sostojanija mnogokomponentnykh sistem. Dano matematicheskoe opisanie effekta stabilizatsii perioda reshetki i kinetiki kristallizatsii mnogokomponentnykh tverdykh rastvorov. Rassmotreny kriticheskie javlenija i termodinamicheskaja ustojchivost podlozhki v neravnovesnoj zhidkoj faze. Osoboe vnimanie udeleno protsessam poluchenija izoperiodicheskikh geterostruktur na osnove chetvernykh i pjaternykh tverdykh rastvorov, kotorye shiroko primenjajutsja v razlichnykh priborakh poluprovodnikovoj optoelektroniki. Kniga adresovana studentam vuzov, obuchajuschimsja po napravlenijam podgotovki i spetsialnostjam, vkhodjaschim v UGSN: "Elektronika, radiotekhnika i sistemy svjazi", "Fiziko-tekhnicheskie nauki i tekhnologii", "Khimija", "Khimicheskie tekhnologii", "Tekhnologii materialov". Takzhe budet polezna dlja nauchno-tekhnicheskikh rabotnikov predprijatij elektronnoj promyshlennosti, spetsialistov v oblasti poluprovodnikovogo materialovedenija, aspirantov i prepodavatelej vuzov inzhenerno-fizicheskogo, khimiko-tekhnologicheskogo i metallurgicheskogo profilej.
