В сборнике статей представлены результаты исследований поверхностных атомных структур, образованных при взаимодействии молекулярных галогенов с основными гранями благородных металлов Си, Ag и Аи и гранью (100) полупроводника GaAs, а также результаты изучения поверхности Si(100)-c(6x2)-Ag. Для изучения процессов формирования и трансформации поверхностных структур применены современные методы исследования, такие как низкотемпературная сверхвысоковакуумная сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия и расчеты, основанные на теории функционала плотности, что позволяет на атомном уровне проследить за развитием структурных фазовых переходов, начиная с самых малых степеней покрытия от 0.01 монослоя. Предназначен для специалистов и аспирантов, работающих в области физики поверхности и физики низкоразмерных систем.
V sbornike statej predstavleny rezultaty issledovanij poverkhnostnykh atomnykh struktur, obrazovannykh pri vzaimodejstvii molekuljarnykh galogenov s osnovnymi granjami blagorodnykh metallov Si, Ag i Ai i granju (100) poluprovodnika GaAs, a takzhe rezultaty izuchenija poverkhnosti Si(100)-c(6x2)-Ag. Dlja izuchenija protsessov formirovanija i transformatsii poverkhnostnykh struktur primeneny sovremennye metody issledovanija, takie kak nizkotemperaturnaja sverkhvysokovakuumnaja skanirujuschaja tunnelnaja mikroskopija/spektroskopija i raschety, osnovannye na teorii funktsionala plotnosti, chto pozvoljaet na atomnom urovne prosledit za razvitiem strukturnykh fazovykh perekhodov, nachinaja s samykh malykh stepenej pokrytija ot 0.01 monosloja. Prednaznachen dlja spetsialistov i aspirantov, rabotajuschikh v oblasti fiziki poverkhnosti i fiziki nizkorazmernykh sistem.
