В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
V knige rassmotreny teoreticheskie i prakticheskie aspekty MOS-gidridnoj epitaksii (MOSGE) – odnogo iz naibolee gibkikh i proizvoditelnykh sovremennykh metodov poluchenija poluprovodnikovykh struktur. Kratko izlozheny fiziko-khimicheskie osnovy metoda, privedeno opisanie vysokoproizvoditelnogo tekhnologicheskogo oborudovanija dlja realizatsii MOSGE i metodov kontrolja rosta epitaksialnykh sloev in situ, zatronuty voprosy modelirovanija protsessov. Prakticheskie aspekty realizatsii metoda podrobno rassmotreny na primere formirovanija epitaksialnykh struktur poluprovodnikov AIIIBV, AIIBVI i tverdykh rastvorov na ikh osnove – osnovnykh materialov sovremennoj optoelektroniki i IK-tekhniki. Znachitelnoe vnimanie udeleno formirovaniju nanorazmernykh epitaksialnykh struktur i geterostruktur na osnove nitridov elementov III gruppy, tekhnologija kotorykh poluchila stremitelnoe razvitie v poslednie gody. Rassmotreny voprosy adaptatsii metoda MOSGE k polucheniju rjada novykh materialov elektronnoj tekhniki.Kniga prednaznachena spetsialistam v oblasti tekhnologii poluprovodnikovykh materialov, mozhet byt polezna aspirantam i studentam sootvetstvujuschikh spetsialnostej.
